两者产生的离子方式不同。
IMS是使用放射源,再加入一定的加合物。离子迁移是离子本身的特性,与电场强度无关。
TOF则采用化学电离,电子电离等方式进行。离子在脉冲电场下加速,根据质荷比分离。
TOF需要高真空,不然干扰太大,可能根本没法检测。
网上找的答案,不对之处请见谅。
vipjph(v3021376) 发表: 如果把TOF加以改进,使其在低真空条件下运行,是不是就需要考虑离子迁移率的问题了。
另外,我是搞理论研究的,对应用了解甚少,能否帮忙解答下,TOF和IMS的应用场景有什么不同。比如TOF只能用在什么场合,IMS只能用在什么场合。