非线性光学响应

DSR300系列微纳器件光谱响应度测试系统是一款专用于低微材料光电测试的系统。其功能全面，提供多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描，光电流扫描以及光响应速率测试。40μm探测光斑，实现百微米级探测器的*对光谱祥响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试，丰富的光源选择以及多层光学光路设计可扩展多路光源，例如超连续白光激光器，皮秒脉冲激光器，半导体激光器，卤素灯，氙灯等，满足不同探测器测试功能的要求。是微纳器件研究的优选。 功能：? 光谱响应度? 外量子效率? 单色光/变功率IV；? 不同辐照度IT曲线（分辨率200ms）? 不同偏压下的IT曲线? LBIC，Mapping? 线性度测试? 响应速率测试 微纳器件光谱响应度测试系统主要技术参数显微镜头标配：10倍超长工作距离物镜，工作距离大于17mmNA值：0.42光谱范围：350-800nm选配：1，50倍超长工作距离消色差物镜，工作距离大于17mmNA值：0.42光谱范围：480-1800nm 2，15倍紫外物镜，工作距离大于8.5mmNA值：0.32光谱范围：250-700nm 3，50倍超长工作距离紫外物镜，工作距离大于12mmNA值：0.42光谱范围：240-500nm 4，40倍反射式长工作距离工作距离大于7.8mmNA值：0.5光谱范围：200nm-20um光斑中心空心光源选配光源1、半导体激光器波长：405nm，532nm，633nm，808nm，980nm可选不稳定性：＜1% 2、皮秒脉冲激光器波长：375nm，405nm，488nm，785nm，976nm可选脉宽：100ps频率：1-20M Hz 3、氙灯光源光谱范围：250nm-1800nm不稳定性：＜1% 4、超连续白光激光光源光谱范围：400-2400nm频率：0.01MHz-200MHz脉宽：100ps光谱仪焦距：300mm；相对孔径：f/3.9；光学结构：C-T；光谱仪分辨率：0.1nm；倒线色散：2.7nm；波长准确度：±0.2nm波长重复性：±0.1nm扫描步距：0.005nm狭缝规格：圆孔抽拉式固定狭缝，孔径：0.2mm,0.5mm,1mm,1.5mm,2mm,2.5mm,3mm；三光栅塔台；光栅配置：1-120-300、1-060-500、1-030-1250，光栅尺寸：68×68mm6档自动滤光片轮，光谱范围200-2000nm；内置电动机械快门，软件控制快门开关；杂散光抑制比：10-5探针台配置4个探针座，配20/10微米针尖探针2米三同轴电缆，漏电流小于1pA。真空吸附样品台。探针座：ＸＹＺ方向12ｍｍ调节行程，0.75uｍ调节分辨率，0-30°调节探针角度。LBIC MaappingXY方向行程50mm，分辨率5um。数釆v 锁相放大器斩波频率：20Hz~1KHz；频率6位显示，2.4英寸屏，320×240液晶显示；电压输入模式：单端输入或差分输入；电压、电流两种输入模式； 满量程灵敏度：1nV至1V；电流输入增益：106或108V/A；动态储备：＞100dB；时间常数范围：10μs至3ks； v keithley2612B量程：100nA/1A最小信号：1nA本地噪音：100pa分辨率：100fa通道数：2 v keithley2636B量程：1nA/1A最小信号：10pA本地噪音：1pa分辨率：10fa通道数：2制冷样品台温度范围：-196℃-600℃，（-196℃需要选择专用冷却系统）全程温度精度/温度性：0.1℃/＜0.01℃光孔直径：2.4mm样品区域面积：直径22mm两个样品探针，1个LEMO接头（可增加至1探针）工作距离：4.5-12.5mm气密样品腔室，可充入保护性气体独立温度控制响应速率测试示波器型号：MDO32模拟带宽100MHz采样率5GS/s记录长度10M时间范围：uS-S，需要配合调制激光器使用时间范围：10nS-S,需要配合皮秒脉冲激光器使用 三维可调高稳定探针台结构，方便样品位置调节。内置三路半导体激光器或者两路光纤激光器，外置一路激光光路。可以引入可调单色光源，进行全光谱范围的光谱响应度测试。测试功能曲线：40um光斑@550nm@50倍物镜200um光纤 70um光斑@550nm@50倍物镜400um光纤5um光斑@375nm皮秒激光器@40倍物镜 紫外增强氙灯和EQ99光源的单色光能量曲线，使用40倍反射式物镜，300mm焦距光谱仪，光谱仪使用1200刻线300nm闪耀光栅，光斑直径大小80um。

产品名称：非线性光学原位光谱检测气固反应池产品型号：非线性光学原位光谱检测气固反应池产品类型：精品定制产品特点：非线性光学原位光谱检测气固反应池

总览ASCUT UG & Co KG NIR-IR近红外非线性光学晶体包含 LISe 硒铟锂(LilnSe2),LIS硫铟锂(LilnS2),LGSe硒镓锂(LiGaSe2),LGS硫镓锂(LiGaS2),GASE硒化镓,AGSe硒镓银(AgGaSe2),AGS硫镓银(AgGaS2)等.我们能够根据客户的规格提供合适的减反射/保护等涂层，可根据要求应用反射率曲线。名称型号货号 描述 价格 LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体 LiGaS2A80160204透光率, 0.33 – 11.6µ m,带隙,4.15 eV,定位精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20 LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体 LiGaSe2A80160203透光率, 0.37 – 13.2µ m,带隙, 3.57eV (300K)定位精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20 LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体 LiInS2A80160202透光率,0.35– 13.2 µ m, 非线性系数, pm/V d31=7.25, d24=5.66 @2.3 ,对称度 斜方晶系, mm2 point group ,晶胞参数, &angst a=6.893, b=8.0578, c=6.4816 ,定向精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 平面度 546 nm λ/6 表面质量, scratch/dig 30/20 LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体 LilnSe2A80160201透光率, 0.43– 13.2 µ m,非线性系数, pm/V:d31=11.78, d24=8.17 @2.3 µ m ,对称度:斜方（晶系）, mm2 point group ,晶胞参数, &angst a=7.192, b=8.412, c=6.793 ,带隙, eV:2.86,定向精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20 AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体 AgGaSe2A80160206透光率,0.76 – 18 µ m,单轴负晶 no ne (at λ 0.804 μm ne no),非线性系数, pm/V d36 = 39.5 @10,6 µ m ,对称度 四方晶系, -42m point group GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体 GaSeG80010032透光率0.62 – 20µ m,非线性系数, pm/V : d22 = 54 @10.6 µ m,对称度:六方晶系, 6m2 point group,晶胞参数, &angst a=3.74, c=15.89,离散角, ° 5.3 µ m AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2 AgGaS2A80160205透光率: µ m 0.47 – 13 非线性系数: pm/V d36 = 12.6 @ 10.6 µ m , 对称度:四方晶系, -42m point group 晶胞参数:a=5.757, c=10.311总览LGS 是一种最近提出的 IR 新型非线性材料，具有纤锌矿型结构，UV 透射率低至 0.32。OPO、OPA、DFG 获得 mid-IR。LiBC 2族晶体具有一组重要的物理参数，如带隙大、二光子吸收低、透光范围宽，包括太赫兹窗口、低群速度失配、高导热率、低热膨胀系数各向异性、等，这导致在宽光谱范围内的可调谐激光系统中有效使用。LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体,LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体技术参数主要特性复合物LiGaS2透光率, µ m0.33 – 11.6对称度mm2带隙, eV4.15非线性极化率, pm/V (at 2.3 µ m)d31=5.8 d24=5.1 d33= -10.70.2透明度级别的远红外吸收边缘µ m92THz3.25光学损坏阈值, MW/cm21064 nm (t=14 ns)240热导系数 k, WM/M°C6-8 calc.光学倍频截止1.47 - 7.53光学元件参数复合物LiGaS2定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20总览LGSe是一种新型非线性红外材料，具有纤锌矿型结构，紫外透射率可降至0.38。LiBC2基团中红外晶体的OPO、OPA、DFG具有一组重要的物理参数，如带隙大、双光子吸收低、透明范围宽(包括THz窗镜)、群速度失配低、导热系数高、热膨胀系数各向异性低等，从而可以有效应用于宽光谱范围的可调谐激光系统。LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体,LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体技术参数主要特性复合物LiGaSe2透光率, µ m0.37 – 13.2对称度mm2带隙, eV (300K)3.57非线性极化率, pm/V (at 2.3 µ m)d31=9.9 d24=7.7 @2,3 µ m0.2透明度级别的远红外吸收边缘µ m218THz1.37热导率k, WM/M°C4.8-5.8 calc.光学倍频截止1.57 - 11.72光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20 总览硫铟锂（LiInS2或LIS）晶体的非线性特性与AgGaS2和AgGaS2相近，但其晶体结构不同。LiInS2是一种热释电材料，其电光参数是将其用作有效电光材料的基础。LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体,LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体技术参数主要特性复合物LiInS2透光率, µ m0.35– 13.2非线性系数, pm/Vd31=7.25, d24=5.66 @2.3 对称度斜方晶系, mm2 point group晶胞参数, &angst a=6.893, b=8.0578, c=6.4816典型反射系数1064 nm532 nmnx=2.1305, ny=2.1668, nz=2.1745nx=2.2353, ny=2.2841, nz=2.2919用于SHG的基频 x-y, Type II, eoe2.35–6.11x-z, Type I, ooe1.78–8.22y-z, Type II, oeo2.35–2.67y-z Type II, oeo5.59–6.11总间隔时间1.617–8.71光学损坏阈值, GW/cm21064 nm (t=14 ns)40 热导率k, WM/M°Ckx=6.1 ± 0.3 ky=5.9 ± 0.3 kz=7.4 ± 0.30.2透明度级别的远红外吸收边缘2.58 THz at 118 µ m 光学元件参数定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/6表面质量, scratch/dig30/20 应用Ti: Sappire 激光泵浦的光学参量振荡器（范围 1 – 12 µ m）用于使用OPO的可调谐固态激光器，由Nd:YAG和其他1.2-10µ m范围内的激光器泵浦中红外(2-12µ m)的差频产生 ,将CO2激光辐射图像上转换为近红外或可见光区域&bull 中红外范围（2-12µ m）的不同频率发生器1-12μm泵浦Al2O3:Ti的光学参量振荡器席中红外区频率混频对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。 总览AgGaSe2晶体,中文名硒镓银晶体,简称AGSe晶体。中红外激光倍频有效的晶体材料，对中红外激光的倍频效率高,是有效的非线性激光晶体之一.还同时具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。 'AGSe晶体透光范围为0.73-18μm,AgGaSe2晶体可用波段位于0.9-16μm。采用目前成熟的激光泵浦，AGSe晶体的OPO呈现宽阔的红外可调谐性能。用Ho:YLF2.05μm泵浦AgGaSe2晶体获得2.5-12μmOPO调谐光源 用1.4-1.55um调谐光源泵浦的非临界相位匹配OPO输出1.9-5.5um调谐光源 早在1982年,就已经实现了脉冲CO2激光的有效倍频 上述系统的输出波段还可以用和频或差频混频的方法(SF/DFM)予以扩充。AGSe晶体可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 µ m。AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体,AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体技术参数主要特性复合物AgGaSe2透光率, µ m0.76 – 18单轴负晶no ne (at λ 0.804 μm ne no)非线性系数, pm/Vd36 = 39.5 @10,6 µ m 对称度四方晶系, -42m point group典型反射系数10.6 µ m5.3 µ mno=2.5915, ne=2.5582 no=2.6138, ne=2.5811光学损坏阈值, MW/cm22000 nm (t=30 ns)13离散角, °5.3 µ m0.68热导系数 k, WM/M°C1.1频带隙能量, eV1.8光活度 ρ = 7deg/mm 在各向同性点, μmn0= ne, λ = 0.804 光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 40平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20应用有效中红外辐射二次谐波的产生 中红外区域高达17µ m的光学参量振荡器、光学参量放大器等各向同性点附近区域的光学窄带滤波器(300 K时为0.804 µ m) 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。 总览GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体,GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体技术参数主要特性复合物GaSe透光率, µ m0.62 – 20非线性系数, pm/Vd22 = 54 @10.6 µ m对称度六方晶系, 6m2 point group晶胞参数, &angst a=3.74, c=15.89典型反射系数10.6 µ m 5.3 µ mno=2.6975, ne=2.3745 no=2.7233, ne=2.3966光学损伤阈值, MW/cm21064 nm (t=10 ns)30离散角, °5.3 µ m4.1应用10.6 µ m激光辐射二次谐波的产生中红外区域高达17µ m的光学参量振荡器、光学参量放大器、DFG等 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。 总览AGS 硫镓银晶体(silver thiogallate硫没食子酸银)是一种优质的红外非线性晶体材料，具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。透光范围为0.53-13um, AgGaS2晶体在550um处具有高透光性，具有广泛的应用，可以用于Nd:YAG激光泵浦的OPO，半导体激光，钛宝石激光，Nd：YAG和IR染料激光的各种差频, 覆盖3-12um波段，此外,还实用于定向红外对抗系统(DIRCMS）和各种波长CO2激光倍频。AGS 硫镓银对中红外激光的倍频效率高,可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 µ m。AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2,AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2技术参数应用中红外辐射的高效倍频光学参量振荡和放大，不同频率产生到高达12µ m的中红外区域各向同性点附近区域的光学窄带滤波器 (0.4974 µ m at 300 K)主要参数复合物AgGaS2透明度, µ m0.47 – 13非线性参数, pm/Vd36 = 12.6 @ 10.6 µ m 负单轴晶体no ne (at λ 0.497 μm ne no)对称性四方晶系, -42m point group晶胞参数, &angst a=5.757, c=10.311典型反射指数10.6 µ m 5.3 µ mno=2.3475, ne=2.2918 no=2.3945, ne=2.3406光学损伤阈值, MW/cm2 1064 nm (t=10 ns)350离散角, °5.3 µ m0.76热导系数 k, WM/M°C1.5室温带隙, eVEg = 2.73在各向同性点的光活性 ρ = 522deg/mmn0= ne, λ = 0.4974 μm0.2透明度级别的远红外吸收边缘0.86 THz 346 µ m光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平整度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20 可提供大/长光学元件，请发送您的要求。我们能够根据客户的规格提供合适的减反射/保护等涂层，可根据要求应用反射率曲线。