【讨论】关于“采样深度对目标信号的影响”

如果距离够长的话，电离的离子较多，否则有部分可能不能被电离，而不能进入锥孔，采样深度相对过长，电离时间过长，有可能让有些原子、离子结合而成氧化物或者产生二次电离，貌似是有这样的 说法，也就是采样深度和样品电离时间长短有关，样品电离时间长短和获取的能量多少有关。个人是这样理解，不知道是否正确。

楼上的说的对，我再补充补充，不知道楼主看的是什么文献，有如下几点错误：
1.采样深度应该是指等离子体火焰到锥口的距离。
2.样品不可能完全离子化，只能说离子化效率高

文献在《理化检验-化学分册》2008年第十期，是这一期的第一篇文章，具体名字记不清了...
对你的补充，我想说明下。就我使用的仪器（Agilent 7500CS），工作线圈到采样锥的距离不是固定的，可以调整，而且是与炬管同时调整，而在和工程师交流的过程中所说采样深度也就是炬管与锥口的距离。

更正一下，上回说错了，线圈到锥距离不是固定的。不过我还是认为从线圈到锥的距离不能称为采样深度。

采样深度对解离是有影响的，这也是cool plasma与hot plasma采样深度不同的原因

cool plasma与hot plasma 是RF 线圈的功率大小不同 貌似和采样深度 没关系
它们的采样深度 可以一样的

标准的设置是不一样的！
当然可以一样，仪器也可以点着火，只不过不在仪器最好的状态而已嘛

一般冷焰的采样深度还是要大一些，保证足够的电离时间
同时各路ICP气体也要适当的增大一点