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1. 产品概述
SENTECH SI 500 CCP 系统使用动态温度控制和氦背冷却，代表了材料蚀刻灵活性的优势。等离子体蚀刻过程中的衬底温度设置和稳定性是高质量蚀刻的严格标准。具有动态温度控制功能的衬底电极与氦气背面冷却和晶圆背面温度传感相结合，可在很宽的温度范围内提供出色的工艺条件。
2. 主要功能与优势
材料蚀刻灵活性
从结构电介质到GaAs和InP等III-V族化合物，SENTECH SI 500 CCP RIE 等离子体蚀刻系统具有氦气 （He） 背面冷却功能，可在很宽的温度范围内（RT 至 250°C）工作。金属的物理蚀刻和量子材料（如石墨烯和hBN）的慢速蚀刻是可能的。
优异的工艺稳定性
他的背面冷却和动态温度控制通过防止基板加热来实现稳定的蚀刻。使用SENTECH自适应衬底处理，可以在不打开反应器的情况下，通过氦气背面冷却轻松处理小晶圆。
优异的均匀性
SI 500 CCP 在 RIE 模式下运行，带有喷淋头，可实现均匀的气体分布，可在高达 200 mm 的基材上提供出色的均匀性和一致的结果。
3. 灵活性和模块化
SENTECH SI 500 CCP 是一种导电耦合等离子体 （CCP） 蚀刻系统，具有氦背面冷却功能，用于在 RIE 模式下处理衬底。它专为 III/V 和 Si 加工领域的模块化和工艺灵活性而设计。
该系统在不同技术的所有重要蚀刻工艺中都得到了充分的验证，并且可以执行各种蚀刻工艺。
SENTECH SI 500 CCP由先进的硬件和SIA操作软件控制，具有客户端-服务器架构。一个经过充分验证的可靠可编程逻辑控制器（PLC）用于所有组件的实时控制。
60天
1年
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