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1. 产品概述
LMEC-300™ 是鲁汶仪器针对特种金属膜层刻蚀而推出的 12 英寸集成设备，应用于新兴存储器件的制备。此类器件的核心功能单元含有成分复杂的金属叠层，例如磁存储器的磁隧道节（MTJ）、相变存储器中的合金相变层、阻变存储器中的阻变叠层。其副产物不易挥发，图形化挑战很大。 LMEC-300™ 反应离子刻蚀与离子束刻蚀协同工艺，可规避 RIE 路径的侧壁沾污问题，也可突破 IBS 路径的工艺线宽局限。薄膜沉积腔室可以不脱离真空环境为器件覆盖钝化层，避免侧壁金属氧化、水化，从而改善可靠性。这种 RIE、IBS与原位钝化工艺集成方案，使 LMEC-300™ 成为新兴存储器件关键工艺的优选。
2. 系统特性
设备集成了 Chimera® N 反应离子刻蚀（RIE）腔室、Pangea® A 离子束塑形（IBS）腔室、Basalt® A 原位（in-situ）沉积腔室，工艺不离开真空环境
对于磁隧道结等难于形成挥发性产物的金属/合金叠层，该设备可实现等离子体刻蚀、干法清洗和原位钝化保护的功能
可提供不同工艺解决方案，满足磁存储器（MRAM）、相变存储器（PCRAM）、阻变存储器（ReRAM）、磁传感器等器件的图形化需求
可选配硬掩模刻蚀腔室 Chimera® A，形成从金属硬掩模到器件功能层的一体化刻蚀方案
适用于12英寸晶圆
售后服务
60天
1年
安装调试现场免费培训
12英寸特种金属膜层刻蚀设备信息由深圳市矢量科学仪器有限公司为您提供，如您想了解更多关于12英寸特种金属膜层刻蚀设备报价、型号、参数等信息，深圳市矢量科学仪器有限公司客服电话：400-860-5168转5919，欢迎来电或留言咨询。
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