【讨论】低真空二次电子检测原理及探头类型

看看这个图就知道原理了,一般钨灯丝的在3nm左右,场发射的能到1.8nm,是观察不导电样品比较好的工具.

低真空二次电子检测器也分很多类型， 不光是 JEOL的 LFD (LARGE FIELD DETECTOR)， FEI的 也叫 LFD。LFD利用的是 一块 电子板式的收集 原件。
其它的低真空检测器类型还有 光导管式的， 针式的等等。

JEOL是没有LFD的,他们只有用BEI探头在低真空看.

那能否请您讲以下 BEI探头的原理呢

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那能否请您讲以下 BEI探头的原理呢[/q
不好意思,这个问题好象不是你应该问的,但是如果你确实想知道的话,可以看看以前的帖子.

真是及时雨啊
谢谢楼主了
希望以后能够更多的交流学习

等了这麽长时间也没有讲解，好失望。

我有一个比较弱的问题, 请高人指点!
二次电子的能量很低,如何能够将气体分子电离呢?
气体分子的分解物会不会污染样品的表面使图像变黑呢？
期待您的回复。

jeolzxj 发表:看看这个图就知道原理了,一般钨灯丝的在3nm左右,场发射的能到1.8nm,是观察不导电样品比较好的工具。

看来确实有很多人对这张图看不懂，再顶置，请发图人讲解一下。