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EVG®620 NT Mask Alignment System(semi-automated / automated)
EVG®620NT 掩模对准系统（半自动/自动）
EVG®620NT在最小的占位面积（最大150 mm晶圆尺寸）上提供了最先进的掩模对准技术。
技术数据
EVG620 NT以其多功能性和可靠性而著称，在最小的占位面积上结合了先进的对准功能和最优化的总体拥有成本，提供了最先进的掩模对准技术。它是光学双面光刻的理想工具，可提供半自动或自动配置以及可选的全外壳Gen 2解决方案，以满足大批量生产要求和制造标准。操作员友好型软件，最短的掩模和工具更换时间以及高效的全球服务和支持使它成为任何制造环境的理想解决方案。
EVG620 NT或完全容纳的EVG620 NT Gen2掩模对准系统配备了集成的隔振系统，可在各种应用中获得出色的曝光效果，例如对薄而厚的抗蚀剂进行曝光，对深腔进行构图以及可比较的形貌。以及薄而易碎的材料（例如化合物半导体）的加工。此外，半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。
特征
晶圆/基板尺寸从碎片到150毫米/ 6'
系统设计支持光刻工艺的多功能性
易碎，薄或翘曲的多种晶圆尺寸的晶圆处理，更换时间短
带有间隔垫片的自动无接触楔形补偿程序
自动原点功能，用于对准键的精确居中
具有实时偏移校正的动态对准功能
支持最新的UV-LED技术
返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统
自动化系统上的手动基材装载功能
可以从半自动版本升级为全自动版本
最小化系统占地面积和设施要求
多用户概念（无限数量的用户帐户和配方，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）
先进的软件功能以及研发与全面生产之间的兼容性；敏捷处理和转换重组；远程技术支持和SECS / GEM兼容性；
附加功能：键对齐 红外对准 纳米压印光刻（NIL）
技术数据
曝光源：汞光源/紫外线LED光源
先进的对齐功能：手动对准/原位对准验证 自动对齐 动态对齐/自动边缘对齐
对准偏移校正算法：通量
全自动：第一批生产量：每小时180片
全自动：吞吐量对齐：每小时140片晶圆
晶圆直径（基板尺寸）：高达150毫米；
对齐方式： 上侧对齐：≤±0.5 μm ； 底侧对齐：≤±1,0 μm ； 红外校准：≤±2,0 μm /基板材料，具体取决于； 键对准：≤±2,0 μm； NIL对准：≤±3.0 μm
曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式
楔形补偿：全自动-SW控制
曝光选项：间隔暴露/洪水暴露/扇区暴露
系统控制 ，操作系统：Windows；文件共享和备份解决方案/无限制配方和参数；多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR；实时远程访问，诊断和故障排除。
工业自动化功能：盒式磁带/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理
纳米压印光刻技术：SmartNIL®；
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