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Epiluvac ER3-C1
晶圆直径可达 200 mm （8“）
通过热壁拓扑结构实现出色的均匀性
先进的动态气体流量控制，可实现佳生长速率和掺杂均匀性。
具有多个加热区的出色温度曲线
不含石英，适用于氯化工艺
在清洁的惰性气氛中进行热晶圆装载/卸载可大限度地减少颗粒污染并延长石墨部件的使用寿命
模块化设计，两个、三个或四个反应器组成集群配置。每个反应器都针对特定的生长步骤进行了优化
在受控环境中在反应器之间进行晶圆运输
高达 1800 °C
适用于中小批量生产和研发
Epiluvac EPI 1000-C：
热壁 CVD 具有出色的均匀性
大 150 mm 基板直径
单晶圆和手动装载
非常适合研发
Epiluvac ER3-N1：
上述ER3-C1系统的GaN版本
可选的原位监测
获得利的温度控制，可大限度地减少晶圆弯曲
卓越的工艺效果
Epiluvac ER3-C1：
晶圆直径可达 200 mm （8“）
通过热壁拓扑结构实现出色的均匀性
先进的动态气体流量控制，可实现佳生长速率和掺杂均匀性。
具有多个加热区的出色温度曲线
不含石英，适用于氯化工艺
在清洁的惰性气氛中进行热晶圆装载/卸载可大限度地减少颗粒污染并延长石墨部件的使用寿命
模块化设计，两个、三个或四个反应器组成集群配置。每个反应器都针对特定的生长步骤进行了优化
在受控环境中在反应器之间进行晶圆运输
高达 1800 °C
适用于中小批量生产和研发
Epiluvac EPI 1000-C：
热壁 CVD 具有出色的均匀性
大 150 mm 基板直径
单晶圆和手动装载
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Epiluvac ER3-N1：
上述ER3-C1系统的GaN版本
可选的原位监测
获得利的温度控制，可大限度地减少晶圆弯曲
卓越的工艺效果
60天
1年
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