ICP-MS测硅

第一，要保证容器、试剂是非常好的。第二，用的内标法来测试

作为ICP-MS新手谈一点，硅的测定过程中影响的因素比较多，干扰比较大，比如避免使用硝酸，或者应该采用碰撞模式，可以很好的去处大部分干扰；你的限度20ppb比价低，并且硅存在的很广泛，因此容器或试剂中的微量硅的存在对你的影响比较大，所以如楼上所说，保证容器、试剂非常好，最有就是采用内标法，尽可能的去除干扰，但入关对照与样品的基体相差很大的话，也可能造成测定的不准确，仅仅采用内标可能不能完全消除干扰

20ppb是检出限还是BEC？

通入氧气，转化为SiOH，在45 amu上测。

我们买的是1000μg/ml的si标准溶液（含0.05mol/L NaOH），直接用超纯水稀释的。进样前用超纯水冲洗，冲洗的过程背景值一直降低，差不多冲一个半小时才基本稳定。装标准液和样品的瓶子也会洗很多遍。用内标法的话要怎么做呢？需要哪种内标物？

20ppb是实际能测到的浓度。BEC是啥意思？

采用的就是通入氧气，转化为SiOH的方法。45、46、47 都试了，45,46的背景值都很高，几十万cps了，用47的话还能有一点线性。工程师也推荐的45，不知道为啥我用45做不出来。

我对仪器还不是很了解，碰撞模式是啥意思，在哪里设置呢？我们的仪器上好像只有standard、DRC、KED这三种，我选择的是DRC这种模式。我是配了50ppb、150ppb、300ppb、500ppb这四个标准液，做工作曲线的。用内标法的话要怎么操作？

要优化氧气流量，在 绝对灵敏度、相对信噪比 之间找一个平衡点。你还是让PE工程师手把手教吧