问题描述:如何进行 TMAH分析?
解答:
四甲基氢氧化铵(TMAH)作为一种基本溶剂,广泛应用于半导体光刻工艺和液晶显示器(LCD)制造中酸性光刻胶的研制。它在这些要求很高的应用领域的广泛应用,使得TMAH中杂质的分析变得越来越重要。SEMI标准C46-03061规定了25%TMAH的限制,每种元素的污染限制小于10ppb。
样品制备与分析
半导体芯片制造过程中,TMAH通常不以浓缩形式使用,大多数应用的浓度在1-3%之间。一般情况下TMAH的浓度约为25%,建议用纯水稀释5倍后上机分析。
特别需要注意的是,由于TMAH具有冲刷颗粒和污染物的能力,在经过ICP-MS进样系统到达锥口的过程中,很容易引起尖峰信号,因此对进样系统提出了挑战,日常分析时需要特别注意进样系统的维护和清洁。以下显示了TMAH分析时干净的进样系统在连续分析时标准溶液和1%HNO3的切换。
典型的仪器工作参数
RF 功率 (热)
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1500 W
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QID
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打开
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检测模式
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脉冲
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积分时间
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1 s
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重复次数
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3次
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主要的质谱干扰
M/z | Interference | Analyte |
24 - 26 | 12C2 | Mg |
27 | 12C14NH | Al |
39 | 38ArH | K |
40 | 40Ar | Ca |
52 - 53 | ArC | Cr |
56 | 40Ar16O | Fe |
质谱干扰去除方式
采用反应模式去除大多数的多原子离子干扰。为使用反应模式的效率最大化,可以使用 100% 氨气进行on-mass 干扰去除多原子离子干扰干扰。
镁标准曲线(氨气流量 0.3ml/min)
铝标准曲线(氨气流量 0.3ml/min)
铬标准曲线(氨气流量 0.3ml/min)
某5% TMAH中的检出限,背景等效浓度以及20ppt加标回收率
以上内容来自仪器信息网《ICP-MS实战宝典》