1 产品概述:
原子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD)是一种先进的薄膜沉积技术,它通过化学反应将物质以单原子膜形式一层一层地镀在基底表面。这种技术属于化学气相沉积的一种,但其独特之处在于其自限制性和互补性,使得对薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力。ALD广泛应用于力学、物理学、材料科学以及纳米技术等领域。
2 设备用途:
原子层沉积设备主要用于在各种基底上沉积高质量的薄膜,其应用范围包括但不限于:
半导体领域:用于晶体管栅极电介质层(如高k材料)、光电元件的涂层、集成电路中的互连种子层、DRAM和MRAM中的电介质层,以及集成电路中嵌入电容器的电介质层等。
纳米技术领域:用于制备中空纳米管、隧道势垒层、光电电池性能的提高、纳米孔道尺寸的控制、高宽比纳米图形、纳米晶体、纳米结构、中空纳米碗等复杂纳米结构。此外,还可用于纳米颗粒、纳米线等材料的涂层。
其他领域:包括微电子、食品包装、光电、催化剂、储能技术、航天器外壳聚合物涂层等
3 设备特点
高度可控性:沉积参数(如厚度、成份和结构)高度可控,能够精确控制薄膜的厚度至纳米级甚至亚纳米级。
优异的均匀性和一致性:所制备的薄膜保形性好、纯度高且均匀,这对于提高器件性能至关重要。
广泛的适应性:设备能够适应不同尺寸和形状的基底,包括平面基底和复杂的三维结构。
高效性:通过优化工艺参数,可以实现高效的薄膜沉积,提高生产效率。
灵活性:可沉积多种类型的材料,包括金属氧化物(如ZnO、TiO2、Al2O3、SnO2)、金属(如Pt、Ir)等,满足不同应用需求。
4 技术参数和特点:
卷筒纸宽度:大420mm
ALD镀膜厚度:大100nm
动态沉积速率 (Al2O3): 10 nm *m/min
过程温度:高 250°C
60天
1年
安装调试现场免费培训
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