请教： 一个关于基体效应的问题

问题太难了
没人回答

光谱干扰是正的，非光谱的是负的

解释的有点道理

这几天好好总结一下，发上来

按您的意思,Ca对Li的干扰是光谱干扰,但Li所选用的波长
是670.78nm,而Ca选用的是393.37nm,它们之间发生谱线重
叠似乎不大可能吧???

Ca对其它元素产生负干扰或许可以找一个牵强的理由,是由
于Ca元素电离抑制的结果,但对Li却为何不是这样?Li比Ca
的电离电位低,Rb也比Ca的电离电位低,为何对Li产生正干
扰,而对Rb却产生负干扰?究竟是何缘故?

无论如何,我都非常感谢以上诸位的应答,谢谢!

查阅相关书籍,是这般解释的:

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"在分析通道的较低区域（即感应圈上方10mm以下处）中,基体元素

对原子线和离子线均增强,这个效应可认为是由于高能电子的数量

增大从而导致碰撞激发增加所引起,在轴向通道的较高区域中,干扰

物的存在对原子线和离子线的强度均产生抑制作用,这可以认为是

双极扩散,亦即电子从中心通道径向地向外扩散造成的,向外扩散的

电子势必把通道中心的正离子向外拉,从而使其数目减少,相应地该

区域中的等测元素的发射强度便下降,对许多--但不是所有的--分析

线的研究表明,这种从增强向抑制转变的临界点均出现于常规分析常

用的观察高度."

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我想,若这个理由成立的话,那么,电离抑制的解释将意味着被否定,但

电离抑制这种解释已广为ICP-AES分析工作者所接受,到底我们应该接

受哪一种见解,还是两种见解都持否定态度呢?

基本的背景较高属不属于光谱干扰呢？
我测土壤中的Pb（220。3）时，Al对其产生正干扰，但是测砷时，有些样品基本的背景比标准系列的高，则产生了负干扰。

国内权威书籍将ICP-AES光谱分析中的干扰分为两大类:非光谱干扰与

光谱干扰.

非光谱干扰:指由基体效应引起,但分析元素的分析线与干扰线并未发

生谱线重叠或线翼叠重,产生机理有电离平衡理论及上面

的提及的,至于接受哪种理论,目前似乎还未定论,对于非

光谱干扰可通过以下措施进行有效决校正:

a.数学处理,如经验系数和干扰因子校正法.

b.联机处理,如与IC，CE，FI等仪器联用.

c.氢化物发生法(对能生成气态氢化物的元素而言).

光谱干扰: 指分析线与干扰线发生谱线重叠或线翼重叠,相对于非光

谱干扰而言,光谱干扰较难处理,但可通过以下措施进行解

决:

a.采用高分辨率的分光系统,如带有预散系统的闪耀光栅,

Fabry-Petrot干涉仪,傅立叶变换光谱仪(FT-ICP-AES)等.

另外,高分辨率的分光系统还可进行同位素光谱分析.

b.数学处理,如K系数法,改进的干扰系数法,逐步逼进校正法等.

c.联机处理,同上.

d.氢化物发生法,同上.

由于ICP-AES与DCP,MIP,CMP等光源相较,背景小,且可通过背景

校正技术进行有效校正,相对于非光谱干扰及光谱干扰,已可忽

略不计,故目前对于背景干扰提及的不是很多.

由上可见,无论对于非光谱干扰还是光谱干扰,联用技术都是解决各

种干扰问题的最佳方案,不但如此,它还可解决形态分析中的许多问题,故

我想CE,IC,FI等与ICP-AES联用技术是今后ICP-AES的发展方向,而且前景

是相当吸引人的.

以上有误或不完全的地方,还望指正交流,谢谢!

上面的解释太好了 受益非浅