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NMC 508系列 ICP刻蚀机
1、独特的等离子体源设计，保证高刻蚀均匀性和高刻蚀速率
Unique plasma source design and vertical pump chamber design, fast etch rate and excellent etch uniformity
2、应用领域广泛，支持 Si Power、SiC Power 、GaN Power、MEMS
Multiple applications, including Si Power， SiC Power， GaN Power， MEMS
3、工艺种类多样，包括 Poly 刻蚀、金属刻蚀、深硅刻蚀
Variety process, including Poly Etch、 GaN low damage Etch、Metal Etch、Deep silicon Etch
4、灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用
Flexible system configuration suitable for different applications such as R&D， pilot line and mass production
5、突出的量产稳定性，更高的 MTBC
Outstanding mass production stability, longer MTBC
技术参数 Technical Parameters
1、晶圆尺寸 6/8 英寸兼容
2、适用材料 硅、氮化镓、铝镓铟磷、氧化硅 \ 氧化钛、氮化硅、氮化钛、氧化铟锡、钨化钛、铝、钼、钨、有机物、光刻胶等
3、适用工艺 硅刻蚀、多晶硅刻蚀、浅槽隔离刻蚀、深硅刻蚀、氮化镓低损伤刻蚀、金属刻蚀等工艺
4、适用领域 科研、集成电路、化合物半导体、新兴应用
60天
1年
安装调试现场免费培训
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