1. 产品概述
NMC 508系列 CCP介质刻蚀机,多频解耦设计,实现优异的均匀性及高深宽比介质刻蚀。
2. 设备用途/原理
NMC 508系列 CCP介质刻蚀机,多频解耦设计,实现优异的均匀性及高深宽比介质刻蚀。应用域广泛,涵盖Si power、SiC Power、GaN Power、MEMS、硅光等。工艺种类覆盖道HM刻蚀、CT刻蚀、Spacer刻蚀,后道Via刻蚀、PAD刻蚀。灵活的系统配置,适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用。采用Clean Mode量产,道、后道均可实现优异的量产稳定性及更高的MTBC。
3. 设备特点
晶圆尺寸 6/8 英寸兼容。适用材料 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅。适用工艺 钝化层刻蚀、硬掩膜刻蚀、接触孔刻蚀、导线孔刻蚀、侧衬刻蚀、回刻、自对准刻蚀。适用域 科研、集成电路、化合物半导体。
60天
1年
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