仪器对比
关注
MARS iCE115 碳化硅外延系统
1、薄膜和厚膜外延兼容，工艺稳定性高
Thin film and thick film epitaxy compatible, high process stability
2、具备多层外延能力
Multi-layer epitaxy capability
3、独特的气流场和加热场设计，工艺性能优异
Unique flow field and thermal field design provide excellent process performance
4、可靠的压力控制系统，成膜质量均一性好
Reliable pressure control system, good uniformity of film formation quality
技术参数 Technical Parameters
1、晶圆尺寸 4、6 英寸
2、适用材料 碳化硅 SiC
3、适用工艺 N&P 碳化硅外延
4、适用领域 科研、化合物半导体
售后服务
60天
1年
安装调试现场免费培训
碳化硅外延系统信息由深圳市矢量科学仪器有限公司为您提供，如您想了解更多关于碳化硅外延系统报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。
相关产品
