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1. 产品概述
MARS iCE115 碳化硅外延系统，薄膜和厚膜外延兼容，工艺稳定性高。
2. 设备用途/原理
MARS iCE115 碳化硅外延系统，薄膜和厚膜外延兼容，工艺稳定性高，具备多层外延能力，气流场和加热场设计，工艺性能优异，可靠的压力控制系统，成膜质量均一性好。
3. 设备特点
晶圆尺寸 4、6 英寸，适用材料 碳化硅 SiC，适用工艺 N&P 碳化硅外延，适用域 科研、化合物半导体。碳化硅外延系统的工作原理主要依赖于化学气相沉积（CVD）技术。这一技术通过载气将反应气体输送到反应室内，在一定的温度和压力条件下，反应气体分解并发生化学反应，形成中间化合物扩散到碳化硅衬底表面，从而生长出外延层。这种外延生长技术能够有效地控制掺杂浓度和薄膜厚度，以满足设计要求，同时减少衬底中的缺陷，提高器件良率。反应室内的气流场和温度场对碳化硅外延生长至关重要，因为它们直接影响外延层的质量和均匀性。
售后服务
60天
1年
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碳化硅外延系统信息由深圳市矢量科学仪器有限公司为您提供，如您想了解更多关于碳化硅外延系统报价、型号、参数等信息，深圳市矢量科学仪器有限公司客服电话：400-860-5168转5919，欢迎来电或留言咨询。
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